優(yōu)爾鴻信檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室配有場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、鎢絲燈掃描電鏡、FIB聚焦離子束、工業(yè)CT、超聲波C-SAM等電子元件及半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備，可針對(duì)電子元件，半導(dǎo)體部件進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)和失效分析服務(wù)。

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡測(cè)試性能特點(diǎn)

高分辨率：可達(dá)到納米甚至亞納米級(jí)的分辨率，能夠清晰地觀察到樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)和細(xì)節(jié)。

高放大倍數(shù)：放大倍數(shù)通常在 10-100 萬(wàn)倍之間連續(xù)可調(diào)，可根據(jù)需要選擇合適的放大倍數(shù)觀察樣品。

良好的景深：可以獲得具有立體感的樣品表面圖像，對(duì)于觀察粗糙或不規(guī)則的樣品表面非常有利。

多功能性：除了觀察形貌外，還可配備能譜儀、電子背散射衍射儀等附件，進(jìn)行元素分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等。

低電壓成像能力：在低加速電壓下也能獲得高質(zhì)量的圖像，可用于觀察對(duì)電子束敏感的樣品。

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡測(cè)試應(yīng)用領(lǐng)域

材料科學(xué)領(lǐng)域

材料微觀結(jié)構(gòu)研究：分析金屬、陶瓷、高分子等材料的晶粒尺寸、形狀、分布及晶界特征等，如研究納米金屬材料的晶粒大小和生長(zhǎng)形態(tài)，幫助優(yōu)化材料的制備工藝，提高材料性能。

材料表面形貌觀察：觀察材料在制備、加工或使用過(guò)程中的表面形貌變化，如金屬材料的磨損表面、腐蝕表面，了解材料的損傷機(jī)制，為材料的防護(hù)和使用壽命預(yù)測(cè)提供依據(jù)。

復(fù)合材料界面分析：觀察復(fù)合材料中不同相之間的界面結(jié)合情況，如碳纖維增強(qiáng)樹(shù)脂基復(fù)合材料中碳纖維與樹(shù)脂的界面結(jié)合狀態(tài)，為提高復(fù)合材料的性能提供指導(dǎo)。

半導(dǎo)體行業(yè)

半導(dǎo)體器件制造與檢測(cè)：在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中，用于觀察光刻圖案的精度、刻蝕效果、薄膜的均勻性等，如檢測(cè)芯片表面的光刻線條是否清晰、有無(wú)缺陷，及時(shí)發(fā)現(xiàn)制造過(guò)程中的問(wèn)題，提高芯片的良品率。

半導(dǎo)體材料研究：分析半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)、缺陷分布、雜質(zhì)沉淀等，如研究硅材料中的位錯(cuò)、雜質(zhì)團(tuán)簇等缺陷對(duì)半導(dǎo)體性能的影響，為半導(dǎo)體材料的研發(fā)和質(zhì)量控制提供重要信息。

地質(zhì)與礦物學(xué)領(lǐng)域

礦物形貌與結(jié)構(gòu)分析：觀察礦物的晶體形態(tài)、解理、斷口等特征，如石英、長(zhǎng)石等常見(jiàn)礦物的晶體形貌，為礦物的鑒定和分類提供依據(jù)。

巖石微觀結(jié)構(gòu)研究：分析巖石的孔隙結(jié)構(gòu)、礦物顆粒的排列方式、膠結(jié)物的形態(tài)等，了解巖石的物理性質(zhì)和力學(xué)性能，為石油勘探、地質(zhì)工程等提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

納米科技領(lǐng)域

納米材料制備與表征：用于觀察納米材料的尺寸、形狀、分散性等，如碳納米管的管徑、長(zhǎng)度、管壁結(jié)構(gòu)，以及納米顆粒的粒徑分布和團(tuán)聚狀態(tài)等，指導(dǎo)納米材料的合成和制備工藝優(yōu)化。

納米器件研究：觀察納米器件的結(jié)構(gòu)和性能，如納米傳感器、納米電子器件等的微觀結(jié)構(gòu)和界面特性，為納米器件的設(shè)計(jì)和性能改進(jìn)提供依據(jù)。